Διεργασίες Παραγωγής Ηλεκτρονικών Υλικών (Ανοικτό Μάθημα)
Δημήτριος Ματαράς
Το μάθημα με κωδικό ΧΜΕ33 (ECTS:4) διδάσκεται το χειμερινό (9ο) εξάμηνο ως μάθημα επιλογής στους τελειόφοιτους Χημικούς Μηχανικούς. Αποτελεί μια εισαγωγή στη νανοτεχνολογία μέσω του παραδείγματος των διεργασιών που χρησιμοποιούνται για την παραγωγή Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων πυριτίου από τη σκοπιά του Χημικού Μηχανικού. Οι στοιχειώδεις διεργασίες που εξετάζονται μπορούν να βρουν εφαρμογές και σε άλλα πολύ διαφορετικά υλικά και συσκευές της σύγρονης τεχνολογίας.
Λέξεις Κλειδιά: Microelectronics Processing, Czochralski, CVD, PVD, PECVD, Plasma etching
ΛιγότεραΤο μάθημα με κωδικό ΧΜΕ33 (ECTS:4) διδάσκεται το χειμερινό (9ο) εξάμηνο ως μάθημα επιλογής στους τελειόφοιτους Χημικούς Μηχανικούς. Αποτελεί μια εισαγωγή στη νανοτεχνολογία μέσω του παραδείγματος των διεργασιών που χρησιμοποιούνται για την παραγωγή Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων πυριτίου από τη σκοπιά του Χημικού Μηχανικού. Οι στοιχειώδεις διεργασίες που εξετάζονται μπορούν να βρουν εφαρμογές και σε άλλα πολύ διαφορετικά υλικά και συσκευές της σύγρονης τεχνολογίας.
Λέξεις Κλειδιά: Microelectronics Processing, Czochralski, CVD, PVD, PECVD, Plasma etching
Το μάθημα με κωδικό ΧΜΕ33 (ECTS:4) διδάσκεται το χειμερινό (9ο) εξάμηνο ως μάθημα επιλογής στους τελειόφοιτους Χημικούς Μηχανικούς. Αποτελεί μια εισαγωγή στη νανοτεχνολογία μέσω του παραδείγματος των διεργασιών που χρησιμοποιούνται για την παραγωγή Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων πυριτίου από τη σκοπιά του Χημικού Μηχανικού. Οι στοιχειώδεις διεργασίες που εξετάζονται μπορούν να βρουν εφαρμογές και σε άλλα πολύ διαφορετικά υλικά και συσκευές της σύγρονης τεχνολογίας.
Λέξεις Κλειδιά: Microelectronics Processing, Czochralski, CVD, PVD, PECVD, Plasma etching
Εισαγωγή. Ολοκληρωμένα Κυκλώματα (ΟΚ). Ημιαγωγοί και φορείς φορτίου, βασικές σχέσεις. Στοιχειώδεις μονάδες των ΟΚ, δίοδοι και τρανζίστορς, στοιχειώδης φυσική των ηλεκτρονικών ιδιοσκευών. Γενική περιγραφή των σταδίων κατασκευής ενός ολοκληρωμένου κυκλώματος, από την άμμο στο ΟΚ.
Παραγωγή μεταλλουργικού πυριτίου. Διεργασίες εξευγενισμού του πυριτίου, ηλεκτρονικό πυρίτιο. Παραγωγή και απόσταξη χλωροσιλανίων. Μέθοδοι παραγωγής πολυκρυσταλλικού πυριτίου: Siemens, ρευστοστερεά κλίνη. Ανάπτυξη κρυστάλλων. Η μέθοδος Czochralski (CZ) και οι μέθοδοι Bridgeman και floating zone. Η μέθοδος CZ, υπολογισμοί αξονικής και ακτινικής κατανομής των προσμίξεων.
Χημικές Διεργασίες εναπόθεσης υμενίων. Χημική εναπόθεση ατμών (CVD). Επιφανειακή Διάχυση και Επιταξία. Ομογενείς και ετερογενείς αντιδράσεις και κινητική της εναπόθεσης. Αντιδραστήρες CVD. Καθεστώτα ροής και μεταφορά θερμότητας, σχεδιασμός αντιδραστήρων.
Φυσικές και Φυσικοχημικές Διεργασίες. Εξάχνωση (PVD) και Επιταξία Μοριακής Δέσμης (MBE). Διεργασίες Πλάσματος. Sputtering (dc και rf), υπολογισμοί ρυθμών sputtering και ρυθμού εναπόθεσης. Χημική εναπόθεση ατμών ενισχυμένη με πλάσμα (PECVD). Δημιουργία δομών με εγχάραξη πλάσματος (Plasma Etching). Αντιδραστήρες PVD. Αντιδραστήρες Πλάσματος: Ιδιαιτερότητες, ηλεκτρικά χαρακτηριστικά και σχεδιασμός.
Ανοικτό Ακαδ. Μάθημα
Αρ. Επισκέψεων : 1043
Αρ. Προβολών : 8552
Ανακοινώσεις
- - Δεν υπάρχουν ανακοινώσεις -
